MSCSM120HM31CT3AG

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	MSCSM120HM31CT3AG
производител	Roving Networks / Microchip Technology
Описание	PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - фетове, мосфети - масиви
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Наличност

В наличност	12
Единична цена	$ 259.97000

MSCSM120HM31CT3AG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

MSCSM120HM31CT3AG Спецификации

Тип	Описание
серия:	-
пакет:	Tube
състояние на част:	Active
фет тип:	4 N-Channel
fet функция:	Silicon Carbide (SiC)
напрежение от източване към източник (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	89A (Tc)
rds на (макс.) @ id, vgs:	31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.8V @ 1mA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	232nC @ 20V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	3020pF @ 1000V
мощност - макс:	395W (Tc)
Работна температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип монтаж:	Chassis Mount
пакет/калъф:	Module
пакет устройство на доставчика:	SP3F

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.