IRF7341TRPBF

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	IRF7341TRPBF
производител	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - фетове, мосфети - масиви
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	IRF7341TRPBF PDF

Наличност

В наличност	78 288
Единична цена	$ 1.02000

IRF7341TRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF7341TRPBF Спецификации

Тип	Описание
серия:	HEXFET®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Active
фет тип:	2 N-Channel (Dual)
fet функция:	Logic Level Gate
напрежение от източване към източник (vdss):	55V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	4.7A
rds на (макс.) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	36nC @ 10V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	740pF @ 25V
мощност - макс:	2W
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет/калъф:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройство на доставчика:	8-SO

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.