EPC2105

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	EPC2105
производител	EPC
Описание	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - фетове, мосфети - масиви
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	EPC2105 PDF

Наличност

В наличност	554
Единична цена	$ 7.14000

EPC2105 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2105 Спецификации

Тип	Описание
серия:	eGaN®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Active
фет тип:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet функция:	GaNFET (Gallium Nitride)
напрежение от източване към източник (vdss):	80V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	9.5A, 38A
rds на (макс.) @ id, vgs:	14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
мощност - макс:	-
Работна температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет/калъф:	Die
пакет устройство на доставчика:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.