IPG16N10S4L61AATMA1

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	IPG16N10S4L61AATMA1
производител	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - фетове, мосфети - масиви
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	IPG16N10S4L61AATMA1 PDF

Наличност

В наличност	156 874
Единична цена	$ 0.56368

IPG16N10S4L61AATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPG16N10S4L61AATMA1 Спецификации

Тип	Описание
серия:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
пакет:	Tape & Reel (TR)
състояние на част:	Active
фет тип:	2 N-Channel (Dual)
fet функция:	Logic Level Gate
напрежение от източване към източник (vdss):	100V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	16A
rds на (макс.) @ id, vgs:	61mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 90µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	11nC @ 10V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	845pF @ 25V
мощност - макс:	29W
Работна температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount, Wettable Flank
пакет/калъф:	8-PowerVDFN
пакет устройство на доставчика:	PG-TDSON-8-10

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.