SI9926CDY-T1-GE3

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	SI9926CDY-T1-GE3
производител	Vishay / Siliconix
Описание	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - фетове, мосфети - масиви
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	SI9926CDY-T1-GE3 PDF

Наличност

В наличност	17 961
Единична цена	$ 0.96000

SI9926CDY-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI9926CDY-T1-GE3 Спецификации

Тип	Описание
серия:	TrenchFET®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Active
фет тип:	2 N-Channel (Dual)
fet функция:	Logic Level Gate
напрежение от източване към източник (vdss):	20V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	8A
rds на (макс.) @ id, vgs:	18mOhm @ 8.3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	33nC @ 10V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	1200pF @ 10V
мощност - макс:	3.1W
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет/калъф:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройство на доставчика:	8-SO

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.