IRF40H210

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	IRF40H210
производител	Rochester Electronics
Описание	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	IRF40H210 PDF

Наличност

В наличност	7 883
Единична цена	$ 0.56000

IRF40H210 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF40H210 Спецификации

Тип	Описание
серия:	HEXFET®, StrongIRFET™
пакет:	Bulk
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	40 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	100A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	6V, 10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.7V @ 150µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	125W (Tc)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	8-PQFN (5x6)
пакет/калъф:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.