IRLH5030TRPBF

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	IRLH5030TRPBF
производител	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	IRLH5030TRPBF PDF

Наличност

В наличност	1 865 060
Единична цена	$ 2.56000

IRLH5030TRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRLH5030TRPBF Спецификации

Тип	Описание
серия:	HEXFET®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	100 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	13A (Ta), 100A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	4.5V, 10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 150µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	94 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±16V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	5185 pF @ 50 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	8-PQFN (5x6)
пакет/калъф:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.