IPS70R1K4P7SAKMA1

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	IPS70R1K4P7SAKMA1
производител	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	IPS70R1K4P7SAKMA1 PDF

Наличност

В наличност	57
Единична цена	$ 0.70000

IPS70R1K4P7SAKMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPS70R1K4P7SAKMA1 Спецификации

Тип	Описание
серия:	CoolMOS™ P7
пакет:	Tube
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	700 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	4A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 40µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	4.7 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±16V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	158 pF @ 400 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	22.7W (Tc)
Работна температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Through Hole
пакет устройство на доставчика:	PG-TO251-3
пакет/калъф:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.