BSP149H6327XTSA1

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	BSP149H6327XTSA1
производител	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	BSP149H6327XTSA1 PDF

Наличност

В наличност	17 931
Единична цена	$ 1.24000

BSP149H6327XTSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSP149H6327XTSA1 Спецификации

Тип	Описание
серия:	SIPMOS®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	200 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	660mA (Ta)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	0V, 10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 400µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	14 nC @ 5 V
vgs (макс.):	±20V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	430 pF @ 25 V
fet функция:	Depletion Mode
разсейване на мощност (макс.):	1.8W (Ta)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	PG-SOT223-4
пакет/калъф:	TO-261-4, TO-261AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.