NVGS3130NT1G

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	NVGS3130NT1G
производител	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	NVGS3130NT1G PDF

Наличност

В наличност	266 882
Единична цена	$ 0.52175

NVGS3130NT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NVGS3130NT1G Спецификации

Тип	Описание
серия:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	20 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	4.2A (Ta)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	2.5V, 4.5V
rds на (макс.) @ id, vgs:	24mOhm @ 5.6A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.4V @ 250µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	20.3 nC @ 4.5 V
vgs (макс.):	±8V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	935 pF @ 16 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	600mW (Ta)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	6-TSOP
пакет/калъф:	SOT-23-6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.