IRFSL3607PBF

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	IRFSL3607PBF
производител	Rochester Electronics
Описание	HEXFET POWER MOSFET
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	IRFSL3607PBF PDF

Наличност

В наличност	1 471
Единична цена	$ 0.49000

IRFSL3607PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRFSL3607PBF Спецификации

Тип	Описание
серия:	HEXFET®
пакет:	Bulk
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	75 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	80A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	9mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 100µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	84 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	3.07 pF @ 50 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	140W (Tc)
Работна температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтаж:	Through Hole
пакет устройство на доставчика:	TO-262
пакет/калъф:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.