IPD60R2K1CEAUMA1

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	IPD60R2K1CEAUMA1
производител	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	IPD60R2K1CEAUMA1 PDF

Наличност

В наличност	2 232
Единична цена	$ 0.61000

IPD60R2K1CEAUMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPD60R2K1CEAUMA1 Спецификации

Тип	Описание
серия:	CoolMOS™ CE
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	600 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	2.3A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 60µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	6.7 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	140 pF @ 100 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	38W (Tc)
Работна температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	PG-TO252-3
пакет/калъф:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.