G2R1000MT33J

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	G2R1000MT33J
производител	GeneSiC Semiconductor
Описание	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	G2R1000MT33J PDF

Наличност

В наличност	1 130
Единична цена	$ 16.58000

G2R1000MT33J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G2R1000MT33J Спецификации

Тип	Описание
серия:	G2R™
пакет:	Tube
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	SiCFET (Silicon Carbide)
напрежение от източване към източник (vdss):	3300 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	4A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	20V
rds на (макс.) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 2mA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	21 nC @ 20 V
vgs (макс.):	+20V, -5V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	238 pF @ 1000 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	74W (Tc)
Работна температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	TO-263-7
пакет/калъф:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.