TP65H480G4JSG-TR

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	TP65H480G4JSG-TR
производител	Transphorm
Описание	GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Наличност

В наличност	328
Единична цена	$ 3.70000

TP65H480G4JSG-TR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H480G4JSG-TR Спецификации

Тип	Описание
серия:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Active
фет тип:	N-Channel
технология:	GaNFET (Gallium Nitride)
напрежение от източване към източник (vdss):	650 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	3.6A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	8V
rds на (макс.) @ id, vgs:	560mOhm @ 3.4A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.8V @ 500µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	8 V @ 8 nC
vgs (макс.):	±18V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	400 V @ 760 pF
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	13.2W (Tc)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	3-PQFN (5x6)
пакет/калъф:	3-SMD, Flat Lead

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.