FQI10N20CTU

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	FQI10N20CTU
производител	Rochester Electronics
Описание	MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	FQI10N20CTU PDF

Наличност

В наличност	1 055
Единична цена	$ 0.37000

FQI10N20CTU Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FQI10N20CTU Спецификации

Тип	Описание
серия:	QFET®
пакет:	Tube
състояние на част:	Obsolete
фет тип:	N-Channel
технология:	MOSFET (Metal Oxide)
напрежение от източване към източник (vdss):	200 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	9.5A (Tc)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	360mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±30V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	510 pF @ 25 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	72W (Tc)
Работна температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтаж:	Through Hole
пакет устройство на доставчика:	I2PAK (TO-262)
пакет/калъф:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.