EPC2012

Изображението е за справка, моля, свържете се с нас, за да получите реалната картина

Част от производителя	EPC2012
производител	EPC
Описание	GANFET N-CH 200V 3A DIE
Категория	дискретни полупроводникови продукти
семейство	транзистори - fets, mosfets - единични
Жизнен цикъл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Плащане	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Лист с данни	EPC2012 PDF

Наличност

В наличност	577 964
Единична цена	$ 0.00000

EPC2012 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2012 Спецификации

Тип	Описание
серия:	eGaN®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
състояние на част:	Discontinued at Digi-Key
фет тип:	N-Channel
технология:	GaNFET (Gallium Nitride)
напрежение от източване към източник (vdss):	200 V
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c:	3A (Ta)
задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено):	5V
rds на (макс.) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs:	1.8 nC @ 5 V
vgs (макс.):	+6V, -5V
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds:	145 pF @ 100 V
fet функция:	-
разсейване на мощност (макс.):	-
Работна температура:	-40°C ~ 125°C (TJ)
тип монтаж:	Surface Mount
пакет устройство на доставчика:	Die
пакет/калъф:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.